مدلسازی پارامتریک سلول عصبی تحت تاثیر میدان مغناطیسی محیطی 50 هرتز سینوسی
Authors
Abstract:
زمینه و هدف: رشد تکنولوژی، افزایش میدانهای الکترومغناطیسی کم فرکانس محیطی را به همراه داشته و به تبع، توجه مجامع علمی را به اثرات بیولوژیک این میدانها معطوف کرده است. بیشترین بحث روی خطوط انتقال و توزیع برق با فرکانس 50 هرتز است. هدف این تحقیق نشان دادن اثرات میدانهای مغناطیسی50 هرتز در محدوده شدت محیطی بر روی پارامترهای بیوالکتریک سلول عصبی F1 حلزون باغی ( (Helix aspersa میباشد. روش کار: در این مطالعه از سلول عصبی F1 حلزون باغی جهت شناسایی محل و میزان تاثیر میدانهای مغناطیسی محیطی بر سیستم عصبی مورد استفاده قرار گرفت . گروه کنترل به منظور بررسی تاثیر گذشت زمان و ورود الکترود و پاره شدن غشاء سلول، گروه شاهد به منظور بررسی تاثیر احتمالی عوامل محیطی مداخلهگر و گروه آزمایش برای شناسایی میزان تاثیر میدان مغناطیسی در نظر گرفته شد. برای تولید میدان مغناطیسی یکنواخت از کویل هلموهلتز استفاده شد. ثبت الکتروفیزیولوژیکی از سلول تحت شرایط کلمپ جریان انجام پذیرفته و جهت نشان دادن تاثیرات ناشی از میدانهای مغناطیسی بر روی کانالهای یونی از مدل سلولی هاجکین-هاکسلی استفاده شد. تمامی دادهها با نرمافزار SPSS 16 و آزمون آماری ANOVA دوطرفه مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. 05/0 p< به عنوان سطح معنیدار در نظر گرفته شده و از محیط نرمافزار Matlab جهت اجرای الگوریتم PSO جهت تخمین پارامترها استفاده شد. یافتهها: در بررسیهای پتانسیلهای عمل ثبت شده درگروههای کنترل و شاهد در بازههای زمانی مختلف تغییرات معنیداری از نظر آماری مشاهده نشد. با اعمال میدان مغناطیسی 87/45 میکروتسلا در پتانسیل استراحت غشاء تغییرات معنیداری 12 دقیقه بعد از اعمال میدان مشاهده شد و بیشترین تغییرات 14 دقیقه بعد از اعمال میدان مشاهده شد. دامنه پتانسیل عمل سدیمی با اعمال میدان، روند کاهشی نشان داد و با افزایش زمان اعمال میدان این تغییرات افزایش نشان داد. در بررسی طول مدت زمان پتانسیل عمل در بازههای زمانی مختلف تغییرات معنیدار مشاهده نشد، در صورتیکه فرکانس شلیک پتانسیل عمل در بازههای زمانی مختلف تغییرات معنیداری را نشان داد. بررسی دامنه هیپرپلاریزاسیون متعاقب پتانسیل عمل (AHP) با اعمال میدان مغناطیسی تغییرات افزایشی در جهت منفی نشان داد ولی در بازههای زمانی تغییرات معنیدار آماری نشان نداد. نتیجهگیری: نتایج حاکی از آن است که میدانهای مغناطیسی فرکانس پایین 50 هرتز در محدوده شدتهای محیطی بطور مستقیم با تغییر در میزان و سرعت باز و بسته شدن کانالهای یونی منجر به تغییر در فعالیتهای بیوالکتریک سلول عصبی میشود و میزان رسانایی کانالهای سدیمی و پتاسیمی کاهش و کانالهای پتاسیمی وابسته به کلسیمی افزایش مییابد .
similar resources
مدلسازی پارامتریک سلول عصبی تحت تاثیر میدان مغناطیسی محیطی ۵۰ هرتز سینوسی
زمینه و هدف: رشد تکنولوژی، افزایش میدانهای الکترومغناطیسی کم فرکانس محیطی را به همراه داشته و به تبع، توجه مجامع علمی را به اثرات بیولوژیک این میدانها معطوف کرده است. بیشترین بحث روی خطوط انتقال و توزیع برق با فرکانس 50 هرتز است. هدف این تحقیق نشان دادن اثرات میدانهای مغناطیسی50 هرتز در محدوده شدت محیطی بر روی پارامترهای بیوالکتریک سلول عصبی f1 حلزون باغی ( (helix aspersa می باشد. روش کار: در...
full textبررسی تاثیر میدان های مغناطیسی (elf) القا شده در فرکانس های 50 و 217 هرتز با شدت های محیطی بر فعالیت بیوالکتریک سلول های عصبی حلزون باغی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی تاثیر میدان مغناطیسی کم فرکانس بر روی ورودی های سیناپسی تحریکی جسم سلولی سلول عصبی F1
full text
بررسی اثر میدان الکترومغناطیسی 50 هرتز بر القای تمایز در بافت جنینی موش
سابقه و هدف: افزایش روز افزون استفاده از انرژی الکتریکی در جوامع مدرن باعث شده است که مردم به طور بی سابقهای در معرض میادین الکترومغناطیسی با فرکانس بسیار کم قرار گیرند. از آنجا که اطلاعات کمی در مورد تاثیرات این نوع انرژی بر بافتهای زنده بدن در دست است، هدف از مطالعه حاضر، مشخص کردن اثرات میدان الکترو مغناطیسی 50 هرتز بر بافتهای تمایز نیافته جنینی می باشد.مواد و روشها: در این مطالعه...
full textبررسی عددی آنتروپی تولیدی جریان نانوسیال در کانال سینوسی عمودی تحت میدان مغناطیسی
در این مطالعه آنتروپی تولیدی ناشی از جابجایی ترکیبی نانوسیال آب- al2o3 در یک کانال عمودی با دیواره های سینوسی تحت میدان مغناطیسی ثابت و یکنواخت به صورت عددی بررسی شده است. در این کار تاثیر پارامترهایی نظیر،کسر حجمی نانوذرات، دامنه ی موج سینوسی، عدد بی بعد رینولدز، عدد بی بعد گراشف و عدد بی بعد هارتمن مورد مطالعه قرار گرفت. این مطالعه با فرض جریان آرام، پایا و غیرقابل تراکم و خواص ترموفیزیکی ثاب...
full textبررسی و مدلسازی تأثیر شکل میدان مغناطیسی بر فرآیند الکتروریسی
میدان مغناطیسی، منجر به جهتگیری ذرات متحرک باردار میشود. بر این اساس جهت کنترل مسیر حرکت الیاف در فرآیند الکتروریسی میتوان از میدان مغناطیسی بهعنوان یک المان خارجی استفاده کرد. در این مطالعه جهت هدایت و کنترل ناپایداری در سیستم الکتروریسی، از تجهیزات مغناطیسی شامل یک فریم نگهدارنده و چند آهنربا استفاده گردید. افزودن تجهیزات مغناطیسی موجب تغییر در مسیر حرکت و مساحت نشست الیاف بر صفحه جمع کن...
full textMy Resources
Journal title
volume 13 issue 2
pages 119- 131
publication date 2013-06
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023